高强度低介电氮化硅陶瓷的制备及性能研究

• 作者: 刘建 廖荣 李海舰 王重海 韦其红
• 来源期刊: 现代技术陶瓷
• 关键词: 高强度 低介电常数 Si3N4陶瓷
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 科研与探讨
• 页码范围: 3-6
• 页数: 4页
• 字数: 2177字
• 语种: 中文

摘要

采用氮化硅(Si3N4)、氮化硼(BN)等原料,通过气氛压力烧结工艺(GPS)研制出了高强度低介电Si3N4基复合陶瓷材料.研究了Si3N4加入量对复合材料力学和介电性能的影响,分析了该材料的显微结构特点.实验结果表明;通过加入27％Si3N4制备的氮化硅基复合材料,其室温抗弯强度(σRT)为366MPa,介电常数(ε)为5.2,介电损耗(tanδ)为9×10-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韦其红		7	28	3.0	5.0
2	王重海		44	364	10.0	17.0
3	廖荣		9	32	4.0	5.0
4	刘建		10	128	5.0	10.0
5	李海舰		6	161	3.0	6.0