用磁控溅射法制备的CdS薄膜的光电特性

• 作者: 孙萍 王业 秦明
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdS膜 磁控溅射 退火 光电特性
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 166-169
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 3270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2013.02.005

摘要

研究了采用磁控溅射方法制备的CdS薄膜的工艺及光电性质,在200℃、300℃、400℃和500℃下分别进行50 min的退火处理,SEM扫描发现退火处理后的CdS薄膜成膜质量更好.通过SEM测得CdS薄膜厚度为10 μm,计算出CdS薄膜的溅射速率为7.5 μm/h.通过探针I-V测试表明,400℃退火处理下,CdS薄膜的光电导特性最为优异,光电流与暗电流之比可达2 134.8.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙萍		16	22	2.0	4.0