纳米CMOS电路的单粒子瞬态影响因素研究

• 作者: 刘保军 蔡理
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子瞬态 纳米CMOS 电路模拟 影响因素 加固
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 6-10,68
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.01.002

摘要

进入纳米尺度后,单粒子瞬态(SET)成为高能粒子入射VLSI产生的重要效应,准确、可靠的SET模拟对评估VLSI的可靠性有着重要的影响.以反相器为例,针对脉冲峰值和半高全宽两个指标,研究了电路模拟中影响SET的因素,主要有电流脉冲幅值、脉冲宽度、负载电容、环境温度及器件尺寸.通过对45和65 nm两种技术节点下的电路的仿真,研究了这些因素对SET的影响,并探讨了可能的原因.结果显示,这些因素对SET的影响趋势和程度有很大的差异,且器件尺寸越小,这些因素对SET的影响越显著.通过设置合适的参数,可以实现电路的抗辐射加固.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保军	空军工程大学理学院	24	50	5.0	5.0
2	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0