硅通孔尺寸与材料对热应力的影响

• 作者: 吴昊 李明 袁琰红 高立明
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 热应力 三维集成封装 有限元分析
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 255-258
• 分类号: TN306
• 语种: 中文

摘要

通过有限元分析研究了单个硅通孔及两片芯片堆叠模型的热应力.采用单个硅通孔模型证实了应力分布受填充材料(铜,钨)的影响,提出钨在热应力方面的优越性,确定了硅通孔尺寸(通孔直径、深宽比等因素)与热应力大小间的对应关系.为寻找拥有最佳热应力的材料组合,采用两片芯片堆叠的二维模型,对常用材料的组合进行了仿真分析,发现以二氧化硅为隔离层,钨为填充金属,锡为键合层的模型具有最理想的热应力特性,此外,铜、ABF以及锡的组合也表现出良好的热应力特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明	上海交通大学材料科学与工程学院	147	815	15.0	22.0
2	吴昊	上海交通大学材料科学与工程学院	61	476	13.0	19.0
3	高立明	上海交通大学材料科学与工程学院	5	130	4.0	5.0
4	袁琰红	上海交通大学电子信息与电气工程学院	2	15	2.0	2.0