24 GHz低相位噪声单片集成VCO

• 作者: 谭超
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管(HBT) 压控振荡器(VCO) 推-推 相位噪声 砷化镓 单片集成电路(MMIC)
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 506-509
• 分类号: TN752|TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.07.006

摘要

介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出.由于振荡器采用了推-推压控振荡器(push-push VCO)结构,相比传统的通过低频VCO芯片和倍频器级联技术实现的24 GHz VCO具有更低的相位噪声,测试结果表明芯片在不同温度、振动以及其他条件下表现出良好的相位噪声,在0～13V的电调电压条件下输出频率为23～25.5 GHz,输出功率在5 V直流工作电压条件下为9 dBm,相位噪声低至-92 dBc/Hz@100 kHz.同时1/2次谐波输出及八分频器电路提供的1/16次谐波输出性能良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭超	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	1	1.0	1.0