单晶硅中替位碳含量的常/低温红外光谱对比研究

• 作者: 李愿杰 李智伟
• 来源期刊: 东方电气评论
• 学科: 化学
• 关键词: 单晶硅 替位碳含量 低温红外光谱
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: O657.33
• 字数: 2344字
• 语种: 中文

摘要

对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温/低温(＜15K)红外光谱测试.通过对比研究发现,在所有实验样品中,除一个碳含量高的样品相对偏差较大以外,其余样品的相对偏差都很小,均在±0.06ppma以内.实验证明低温(＜15K)红外光谱可以替代常温红外光谱完成杂质碳含量的检测,低温红外光谱的一次扫描即可同时完成碳、硼、磷杂质的含量检测.本文为多晶硅生产中的杂质含量分析提供了一种快速、高效的检测模式,避免了设备的重复和资源的浪费.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李愿杰		6	53	4.0	6.0
2	李智伟		1	4	1.0	1.0