ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用

• 作者: 李俊 李幸和 许生根 赵金茹 陈杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基电容器 三氧化二铝 深槽 介电特性 原子层沉积
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2728字
• 语种: 中文

摘要

硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数（高K）材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容（MLCC），硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积（ALD）制备的Al2O3薄膜的介电特性，通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺，发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下，ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm，相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2，漏电流小于5 nA/mm2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李俊		38	117	4.0	9.0
2	陈杰		21	35	3.0	5.0
3	赵金茹		4	9	2.0	3.0
4	李幸和		3	6	2.0	2.0
5	许生根		1	4	1.0	1.0