生长条件对锗酸锶纳米线形成的影响

• 作者: 李洋 杨基磊 王帅 田浪 蒋宇翔 裴立宅 金海波
• 来源期刊: 铜业工程
• 关键词: 锗酸锶纳米线 生长条件 影响 扫描电子显微镜 X-射线衍射
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 提取冶金与化学工程
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 语种: 中文

摘要

系统分析了水热温度、保温时间对锗酸锶纳米线形成的影响.扫描电子显微镜和X-射线衍射分析结果表明水热温度和保温时间对锗酸锶纳米线的形成与生长起到了重要作用.随着水热温度的增加,锗酸锶棒状结构的长度不断增加,由无定形结构转变为了斜方SrGeO3晶相.随着保温时间的增加,锗酸锶纳米线的长度由10微米增加至了数十微米.通过晶体核化与生长机制可以解释锗酸锶纳米线的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裴立宅	安徽工业大学材料科学与工程学院	47	141	8.0	10.0
2	王帅	安徽工业大学材料科学与工程学院	10	14	2.0	3.0
3	蒋宇翔	安徽工业大学材料科学与工程学院	3	4	2.0	2.0
4	李洋	安徽工业大学材料科学与工程学院	5	5	2.0	2.0
5	田浪	安徽工业大学材料科学与工程学院	3	4	2.0	2.0
6	金海波	安徽工业大学材料科学与工程学院	3	4	2.0	2.0
7	杨基磊	安徽工业大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0