体硅集成电路版图抗辐射加固设计技术研究

• 作者: 田海燕 胡永强
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 版图设计 可靠性
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2229字
• 语种: 中文

摘要

辐射效应是电路在太空等领域应用时遇到的首要问题，常常会引起电路出错或失效。为了满足抗辐射电路设计的需求，必须提高电路抗辐射效应的能力。文章分析了辐射效应对器件产生的影响。针对电路在辐射环境中应用时存在的问题，文章从版图抗辐射设计加固的角度出发，介绍了抗总剂量的环形栅、倒比例器件，以及抗单粒子昆倾效应抗辐射版图的设计方法。在电路设计时，通过上述几种版图设计方法的应用，可以提高电路的抗辐射性能，进而提高电路的可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田海燕		6	14	1.0	3.0
2	胡永强		7	14	2.0	3.0