半导体所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线

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Mary

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篇名	半导体所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线
来源期刊	今日电子	学科
关键词
年，卷（期）	2013,（2）	所属期刊栏目	技术前沿
研究方向		页码范围	25
页数	1页	分类号
字数	588字	语种	中文
DOI