温度及扩散时间对CVD法制备高硅钢的影响

• 作者: 张帆 朱合范 潘红良 王旭
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 6.5％ Si高硅钢 CVD 温度 扩散时间
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 85-87
• 分类号: TG174.445
• 语种: 中文

摘要

采用CVD法制备6.5％Si高硅钢,介绍了具体的制备工艺过程,研究了温度对渗硅速率和试样质量减轻的影响,同时分析了扩散时间对高硅钢中硅分布的影响.结果表明:在CVD反应过程中,反应温度高于1050℃将大大提高渗硅速率,但当温度大于1200℃后,渗硅速率趋于稳定；渗硅后,试样会减轻、减薄,随着温度升高,试样质量减轻的速率逐渐增大,在1200℃左右趋于稳定；扩散时间越长,硅分布越均匀,结合制备效率进行考虑,满足△w表-中/b≤5的时间为适宜的扩散时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘红良		78	341	9.0	13.0
2	朱合范		3	22	3.0	3.0
3	王旭		2	9	1.0	2.0