用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型制作方法

• 作者: 吕亚平 吕植成 师帅 张学斌 方靖 汪学方 袁娇娇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 3D集成 硅通孔(TSV) 减薄 深反应离子刻蚀(DRIE) 湿法腐蚀 电镀
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 118-123,128
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.02.011

摘要

提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法.具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片.利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反应离子刻蚀(DRIE)依次打孔和背面减薄,另一种是先利用KOH溶液湿法腐蚀局部减薄,再利用DRIE刻蚀打孔.通过实验优化了KOH和异丙醇(IPA)的质量分数分别为40％和10％.这种方法的优点在于制作出的超薄芯片翘曲度相较于CMP减薄的小,而且两个表面都可以进行表面微加工,使集成度提高.利用这种方法已经在实验室制作出了厚50 μm的带TSV的超薄芯片,表面粗糙度达到0.02μm,并无孔洞地电镀填满TSV,然后在两面都制作了凸点,在表面进行了光刻、溅射和剥离等表面微加工工艺.实验结果证实了该方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪学方	华中科技大学机械科学与工程学院	32	210	8.0	12.0
5	吕亚平	华中科技大学机械科学与工程学院	3	12	2.0	3.0
6	师帅	华中科技大学机械科学与工程学院	3	25	3.0	3.0
7	袁娇娇	华中科技大学机械科学与工程学院	3	25	3.0	3.0
8	方靖	华中科技大学机械科学与工程学院	3	25	3.0	3.0
9	吕植成	华中科技大学光学与电子信息学院	1	6	1.0	1.0
10	张学斌	华中科技大学机械科学与工程学院	1	6	1.0	1.0