提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法

• 作者: 周平华 徐飞 杜汇伟 杨洁 石建伟 马忠权
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超声修饰 金属催化法 硅纳米墙 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 274-278
• 页数: 5页
• 分类号: TN15
• 字数: 3703字
• 语种: 中文

摘要

提供了一种硅纳米墙结构器件的背面电极接触改善方法.通过利用超声的方法修饰金属催化法制备的硅纳米墙结构,并制备了AZO/硅纳米墙异质结光电器件.研究发现超声波可以对金属催化法制备的纳米硅墙进行单面修饰,与未经超声修饰的样品制备的器件相比,超声修饰能够改善硅纳米墙器件的背面电极欧姆接触,2 min的超声修饰可以将器件的串联电阻从5.87 Ω下降到0.82 Ω,填充因子提高86％,光电转换效率提高76.2％,提高了光电器件的载流子收集效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马忠权	上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室	25	87	5.0	8.0
2	徐飞	上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室	7	42	3.0	6.0
3	杨洁	上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室	8	10	2.0	3.0
4	杜汇伟	上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室	4	0	0.0	0.0
5	石建伟	上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室	3	3	1.0	1.0
6	周平华	上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室	2	3	1.0	1.0