高压下GaN的电子结构及光学性质的理论研究

• 作者: 令狐荣锋 徐梅 李应发
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 相变 电子结构 光学性质 GaN
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 730-734
• 页数: 5页
• 分类号: O482.3
• 字数: 1846字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2013.05.017

摘要

基于密度泛函理论,深入讨论了GaN(闪锌矿(B3)和氯化钠(B1))的晶体结构、相变压强和弹性性质.用等焓原理,获得B3→B1的相变压强为44.6 GPa,与相关的理论结果吻合较好.随着压强的增加,GaN的静态介电常数εt(0)逐渐减小.介电函数的实部ε1(ω)和虚部ε2(ω)的第一个峰都向入射光子的高能方向移动,而且强度逐渐减弱.此外,压强对吸收光谱和折射率也有重要的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	令狐荣锋	贵州师范学院物理与电子科学学院	120	268	7.0	8.0
2	徐梅	贵州师范大学物理与电子科学学院	49	99	5.0	6.0
3	李应发	贵州师范大学物理与电子科学学院	19	35	4.0	4.0