非晶In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器研究

• 作者: 丁士进 崔兴美 陈笋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO) 薄膜晶体管(TFT) 存储器 系统面板(SoP) 柔性器件
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 481-486
• 分类号: TN304.26|TN321.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.07.001

摘要

非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景.首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法及材料性能进行了归纳.最后对基于a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器的结构、编程和擦除特性等文献报道进行了总结,重点讨论了该类存储器在通常情况下擦除效率低的原因及其改善措施.因此,对今后开发高性能a-IGZO沟道薄膜晶体管存储器具有很好的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士进	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	29	174	7.0	12.0
2	崔兴美	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	陈笋	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0