非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究

• 作者: 吴能友 彭银生 曹全君 李祖渠 贾立新
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 太阳电池 TCAD 反射层
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 2571字
• 语种: 中文

摘要

基于Sentaurus TCAD数值分析平台,采用非晶硅的DOS模型对禁带中缺陷态进行表征,建立a-Si:H薄膜太阳电池的二维数值模型.对P-I-N结构的非晶硅太阳电池的本征区、P型区、N区以及P/I界面的特性进行研究,得到参数与薄膜太阳电池性能之间的关系.通过电池物理和结构参数的优化,在界面处引入ZnO作为反射层,优化得到太阳电池填充因子为74.7％,AM1.5下光电转换效率为10.1％,表明采用TCAD数值仿真可有效用于非晶硅太阳电池本征参数和反射层的优化设计,提高电池转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾立新	浙江工业大学信息工程学院	23	111	5.0	10.0
2	吴能友	中国科学院可再生能源与天然气水合物重点实验室	55	380	11.0	16.0
3	彭银生	浙江工业大学信息工程学院	6	6	2.0	2.0
4	曹全君	中国科学院可再生能源与天然气水合物重点实验室	14	13	2.0	3.0
8	李祖渠	浙江工业大学信息工程学院	1	1	1.0	1.0