宇航用SRAM存储器单粒子效应试验研究

• 作者: 刘伟鑫 吾勤之 曹晖 郑渊
• 来源期刊: 上海航天
• 学科: 航空航天
• 关键词: SRAM存储器 单粒子效应 翻转率预估
• 年，卷（期）: shhtzyw_2013,（3）
• 页码范围: 60-64
• 页数: 5页
• 分类号: V520.6

摘要

用高能重离子加速器对宇航用典型静态随机（SRAM）存储器进行了单粒子效应模拟试验研究。给出了测试系统、试验样品、辐射源、试验方法及条件,以及所得单位注量重离子引起的单粒子翻转发生次数-线性能量传输值（σ-LET）曲线。讨论了重离子单粒子翻转率预估方法和FOM法,并用后者预估了典型GEO轨道上器件的空间单粒子翻转率。