基于SOI-MEMS工艺的谐振式压力传感器研究

• 作者: 张健 曹明威 焦海龙 王军波 陈德勇
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统 谐振式压力传感器 绝缘体上硅 差分检测 阳极键合
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 801-805
• 页数: 5页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2411字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2013.06.009

摘要

提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器,该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作“H”型谐振梁,并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析,利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻蚀制作传感器结构,并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅-玻璃阳极键合技术,实现了传感器的圆片级真空封装。采用开环扫描检测和闭环自激振荡方式,测定压力传感器的特性。实验结果表明：传感器一致性良好,在500 hPa~1100 hPa的检测范围内,差分检测灵敏度为14.96 Hz/hPa,线性相关系数为0.999996。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	272	3714	30.0	51.0
2	陈德勇	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	48	348	11.0	16.0
3	王军波	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	41	304	10.0	16.0
4	焦海龙	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	6	62	5.0	6.0
5	曹明威	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	4	40	3.0	4.0