基于相变存储的混合主存架构研究

• 作者: 吕晖 吴东 臧春峰 谢向辉
• 来源期刊: 高性能计算技术
• 学科: 工学
• 关键词: 主存系统 DRAM PCM 混合主存架构
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 高性能计算前沿概览
• 页码范围: 13-18
• 页数: 6页
• 分类号: TP333
• 语种: 中文

摘要

以往主存系统都是通过DRAM来构建的.但由于DRAM的局限性,使主存系统遇到扩放性、能效比和可靠性等多方面的问题.本文在现有的层次存储体系架构下,提出了一种利用新型非易失存储介质——相变存储(PCM)与DRAM混合的主存架构,以便充分利用DRAM读写延迟小及PCM容量大、功耗低的优势.通过模拟表明,基于PCM与DRAM混合的主存架构在性能上,足以匹敌配置容量相同的DRAM主存,而功耗则降低一半左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴东		10	16	2.0	4.0
2	谢向辉		45	254	7.0	15.0
3	吕晖		3	0	0.0	0.0
4	臧春峰		2	0	0.0	0.0