一种P沟VDMOS器件的研究与实现

• 作者: 蒲石 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: P沟VDMOS 外延层优化 结终端技术
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2013.06.010

摘要

分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系.采用Silvaco对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化,并设计了针对该器件的终端结构.完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟VDMOS制造工艺,并据此研制出了耐压值80 V、输出电流14A的P沟VDMOS.测试了其静态和动态参数,均达到了设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	蒲石	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	8	2.0	2.0