Al/AlOX/Al超导隧道结的制备工艺研究

• 作者: 吴培亨 姚晓栋 孙国柱 张广涵 房玉荣 曹春海 王林 许伟伟 许钦印
• 来源期刊: 低温与超导
• 关键词: Al/AlOx/Al 超导隧道结 铝刻蚀 制备工艺
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 47-49,69
• 页数: 4页
• 字数: 2056字
• 语种: 中文

摘要

研究了在高阻硅衬底上Al/ AlO／Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/ AlOx/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口.在400mK温度下测量了Al/AlOx/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流Ic为55hA,漏电流为5nA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许伟伟	南京大学超导电子学研究所	69	148	6.0	9.0
2	曹春海	南京大学超导电子学研究所	15	10	2.0	3.0
3	王林	南京大学超导电子学研究所	25	498	8.0	22.0
4	孙国柱	南京大学超导电子学研究所	24	18	3.0	3.0
5	许钦印	南京大学超导电子学研究所	4	12	2.0	3.0
6	房玉荣	南京大学超导电子学研究所	2	1	1.0	1.0
7	张广涵	南京大学超导电子学研究所	3	1	1.0	1.0
8	姚晓栋	南京大学超导电子学研究所	3	1	1.0	1.0