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摘要:
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28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计
低压差线性稳压器
带隙基准电路
28nm工艺
温度系数
低功耗低噪声
28nm工艺基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计
28nm工艺
高速IO设计
ESD
T_Coil结构
粒子入射条件对28nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究
器件仿真
28nm
单粒子效应
电荷共享
多位翻转
Synopsys推出可用于TSMC28nm工艺的DesignWare嵌入式存储器和逻辑库
嵌入式存储器
逻辑
工艺
半导体设计
知识产权
系统级芯片
积体电路
性能
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 28nm高端FPGA实现合适的功耗和性能
来源期刊 中国电子商情·基础电子 学科
关键词
年,卷(期) 2013,(5) 所属期刊栏目 专题报道:可编程器件
研究方向 页码范围 66-70
页数 5页 分类号
字数 4524字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 Martin S.Won Altera公司技术部 4 1 1.0 1.0
2 Ryan Kenny 3 1 1.0 1.0
3 Michael Sydow 1 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国电子商情·基础电子
月刊
chi
出版文献量(篇)
2793
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801
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