InGaN多量子阱中载流子的传输和复合发光机制

• 作者: 冀子武 孙虎 栾梦恺 王梦琦 王绘凝
• 来源期刊: 山东科学
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 InGaN母体 量子点 相分离
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 3661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3976/j.issn.1002-4026.2013.05.005

摘要

利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了多量子阱结构的InGaN/GaN薄膜,并对其光致发光(PL)特性进行了研究.结果显示该样品的PL谱中有两个主要发光成分,这两个发光成分被认为是分别来自InGaN阱层中的两个分离的相:低In的InGaN母体和富In的量子点,并且它们的积分强度强烈地依赖测试温度和激发功率.这个行为被解释为GaN和InN之间较低的互溶隙导致了InGaN阱层的相分离,并且在这两个相之间存在着光生载流子的传输过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	栾梦恺	北京师范大学数学科学学院	2	4	2.0	2.0
2	冀子武	山东大学物理学院	4	6	2.0	2.0
3	王绘凝	山东大学物理学院	2	5	2.0	2.0
4	王梦琦	山东大学物理学院	1	2	1.0	1.0
5	孙虎	山东大学物理学院	2	3	1.0	1.0