功率控制器结温无损伤测量技术研究与实现

• 作者: 吴维刚 张金龙 杨士元 闫军政
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 结温 无损伤 测量 等功率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 74-78
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.016

摘要

固态功率控制器或固体继电器逐步向大功率方向发展,其结温测量与监控成为工程应用中的难题,针对这类具有输入输出隔离功能的器件,采用等功率结温测试法研究了基于MOSFET的功率控制器结温无损伤测量技术.利用MOSFET自身结构,通过研究寄生pn结电压随温度变化规律、器件正向功率和反向功率关系、等功率结温测试与实际结温测试结果对比,提出了适用于工程应用的结温无损伤测量方法.结果表明,采用本方法测试结温准确度在1％以内,并可有效避免器件时间差、测试时间差等问题,可实现多层结构、非气密结构等传统方法难以实现的结温测量,具有良好的工程应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨士元	清华大学自动化系	124	1303	17.0	30.0
2	闫军政	清华大学自动化系	1	2	1.0	1.0
6	吴维刚		1	2	1.0	1.0
7	张金龙		1	2	1.0	1.0