基于频率响应的IGBT模块内部缺陷诊断

• 作者: 吴军科 周生奇 周雒维 孙鹏菊 李亚萍
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 可靠性 缺陷 IGBT模块 脉冲响应 频率响应分析 寄生参数
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 输变电系统状态评估及故障诊断专题
• 页码范围: 2670-2677
• 页数: 8页
• 字数: 4693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2013.11.014

摘要

为提高绝缘栅门极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块运行的可靠性,研究了缺陷对IGBT模块内部寄生参数的影响,提出了一种基于频率响应的IGBT模块内部缺陷诊断方法,并对其工作原理和性能特点进行了详细分析.该方法基于IGBT模块失效过程中电或热老化导致的内部寄生参数变化,即在IGBT模块集射极开路状态下,通过在门极与发射极之间施加扫频激励信号,获取不同运行阶段集射极响应频谱的变化,由此判断IGBT模块内部是否存在缺陷.实验研究结果证实,所提出的方法可以有效辨识IGBT模块内部硅片失效缺陷,能够为及时替换赢得时间,从而避免模块的完全失效及由此造成的装置损坏,与现有的故障诊断方法相比,其响应时间更充裕.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周雒维	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	166	2243	26.0	40.0
2	吴军科	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	10	180	6.0	10.0
3	孙鹏菊	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	37	300	11.0	16.0
4	李亚萍	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	5	35	3.0	5.0
5	周生奇	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	7	38	4.0	6.0