HPGe探测器体源效率面源模拟刻度技术

• 作者: 冯天成 周腾飞 李安 欧阳晓平 田自宁 雷震
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 面源 LabSOCS 效率刻度
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 130-134
• 页数: 5页
• 分类号: TL81
• 字数: 2672字
• 语种: 中文

摘要

使用面源模拟刻度体源不同高度处薄层的探测效率,随高度积分获得了φ75 mm× 25mm 241Am体源及气态241Am源的探测效率,模拟刻度结果和LabSOCS计算值的偏差在±7％以内.同理,使用LabSOCS无源效率刻度技术进行面源分层刻度计算,并随高度积分获得φ75 mm×25 mm尺寸133 Xe气体源和137Cs液体源探测效率,模拟刻度结果和LabSOCS计算值的偏差在±1％以内.实验和理论计算证明面源模拟刻度技术是有效可行的.相对体源刻度技术,面源刻度可以省去样品源制作及运输,大大提高工作效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯天成		42	96	5.0	7.0
2	欧阳晓平	清华大学工程物理系	99	283	9.0	11.0
6	田自宁	清华大学工程物理系	20	25	3.0	4.0
8	雷震		7	31	3.0	5.0
11	李安		5	5	1.0	1.0
12	周腾飞		1	2	1.0	1.0