牵引用3300V IGBT芯片均匀性及其对可靠性的影响

• 作者: 刘可安 刘国友 张泉 罗海辉 黄建伟
• 来源期刊: 机车电传动
• 学科: 工学
• 关键词: 高压IGBT 轨道交通 芯片工艺 性能均匀性 可靠性
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专题
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 3472字
• 语种: 中文

摘要

为满足轨道交通领域牵引用3 300 V IGBT芯片应具有优良的栅极控制特性、较低的通态压降和较宽的安全工作区的要求,对3 300 V IGBT芯片工艺进行了深入研究.在工艺控制和关键工艺改进方面采取措施,全面提升了牵引用3 300 V IGBT芯片在栅极特性、电压阻断、导通特性和安全工作区等方面的表现,进而大幅度提高了芯片的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘可安	株洲南车时代电气股份有限公司技术中心	11	116	7.0	10.0