高速摄像机观察中高压陶瓷电容材料的击穿现象

• 作者: 庄剑勇 张帆 葛桂宾 陈艺灵 黄锦涛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 陶瓷电容 中高压 高速摄像机 击穿过程 电场强度 放电 电孔率
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TM53
• 字数: 2928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.03.009

摘要

使用专业高速摄像机,在线观察研究了中高压陶瓷电容材料在电场作用下被击穿破坏过程.结果表明,中高压陶瓷电容材料的击穿通常发生在0.17～0.25 ms.在电场强度逐渐增强的过程中,还可以观察到陶瓷样品的放电、气体放出以及陶瓷介质的燃烧等现象.击穿前出现的放电频率越高,材料的击穿电场强度越低,而气孔率的减小有助于材料击穿电场强度的提高.