溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响

• 作者: 刘保亭 史守山 娄建忠 张二鹏 张锁良 李钗 贾长江 郝彦磊 闫小兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In-Ga-Zn-O薄膜 溅射功率 电阻率 禁带宽度 透过率
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 1343-1346,1352
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2646字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜.研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低.透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量.光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小.In-Ga-Zn-O薄膜在500～800nm可见光区平均透过率超过90％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
2	娄建忠	河北大学电子信息工程学院	25	64	5.0	6.0
3	张锁良	河北大学电子信息工程学院	20	96	6.0	9.0
4	贾长江	河北大学电子信息工程学院	7	27	2.0	5.0
5	史守山	河北大学电子信息工程学院	6	11	2.0	3.0
6	张二鹏	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0
7	郝彦磊	河北大学物理科学与技术学院	3	8	2.0	2.0
8	李钗	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0