SiO2/CeO2混合磨料对硅CMP效果影响

• 作者: 于江勇 刘玉岭 夏显召 孙鸣 李英的 杨昊鹍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米氧化铈 化学机械抛光 硅衬底 去除速率 粗糙度
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 51-54
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.011

摘要

以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式.采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅溶胶复配混合作为磨料,利用氧化铈对硅片表面化学反应产物硅酸胺盐的强络合作用,加快了硅衬底表面化学反应进程.分析了复合磨料抛光的机理,通过Aglient 5600LS原子力显微镜,测试了抛光前后的厚度及抛光后的硅片表面微粗糙度.实验结果表明,复合磨料抛光后硅片表面在10 μm×10 μm范围内粗糙度方均根值0.361 nm,表面微粗糙度降低16％以上,去除率为1 680 nm/min,硅CMP速率提高8％以上,实现了高去除速率、低表面粗糙度的硅单晶抛光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
3	杨昊鹍	河北工业大学微电子研究所	5	20	3.0	4.0
4	李英的	河北工业大学微电子研究所	2	19	2.0	2.0
5	夏显召	河北工业大学微电子研究所	3	23	3.0	3.0
6	于江勇	河北工业大学微电子研究所	2	19	2.0	2.0