库仑阻塞现象及其在纳米电子器件中的应用

• 作者: 柳福提 程晓洪
• 来源期刊: 大学物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 隧穿结 库仑阻塞 单电子隧穿 单电子晶体管
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 专题介绍
• 页码范围: 33-36,43
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 语种: 中文

摘要

对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电子隧穿的物理原理;最后介绍库仑阻塞效应在单电子晶体管中的具体应用及其发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳福提		61	100	5.0	7.0
2	程晓洪		49	90	4.0	7.0