强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

• 作者: 孟秋敏 李洪强 欧阳峥嵘 石磊
• 来源期刊: 低温与超导
• 关键词: 锗温度传感器 强磁场 变温 磁致电阻效应
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 低温技术
• 页码范围: 15-16,21
• 页数: 3页
• 字数: 1372字
• 语种: 中文

摘要

以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应.结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大；在20～100K温区,磁效应随温度的升高趋于平缓；GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高,且温度越低,磁效应的变化率越高,2.1K、16T处的磁效应为2120.3％；GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高,随场强的增大而增大,且全为负温差,在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K.不推荐应用在磁场环境下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧阳峥嵘	中国科学院强磁场科学中心	55	174	6.0	10.0
2	石磊	中国科学院强磁场科学中心	83	775	17.0	24.0
3	孟秋敏	中国科学院强磁场科学中心	9	9	1.0	2.0
4	李洪强	中国科学院强磁场科学中心	15	49	5.0	5.0