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摘要:
介绍了热释电探测器PZT晶片制备工艺及选择锆钛酸铅(PZT)陶瓷材料制作敏感元的理论依据,阐述了晶片磨抛理论,对磨抛质量影响因素进行了细致分析。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜和表面粗糙度分析,得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜(SEM)照片和晶片表面形态,确定了最佳抛光材料。通过理论和实践的结合,研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器晶片。
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文献信息
篇名 热释电探测器PZT晶片制备工艺研究
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 热释电探测器 锆钛酸铅(PZT)材料 PZT晶片 研磨抛光
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 368-372
页数 5页 分类号 TN215
字数 3001字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄江平 12 58 5.0 7.0
2 王羽 5 8 2.0 2.0
3 袁俊 14 59 5.0 7.0
4 王学森 1 4 1.0 1.0
5 郭雨航 2 4 1.0 2.0
6 余瑞云 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
热释电探测器
锆钛酸铅(PZT)材料
PZT晶片
研磨抛光
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
论文1v1指导