用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术

• 作者: 唐兆云 唐波 孟令款 李俊峰 李春龙 贺晓彬 闫江 陈广璐
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束光刻(EBL) 电子束直写(EBDW) 邻近效应 混合光刻 纳米器件 后栅工艺
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 386-390
• 分类号: TN305.6|TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.06.010

摘要

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺.通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题.此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题.这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件.