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摘要:
对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素.实验结果表明,在相同累积电离辐射总剂量条件下,发射区周长面积比大的双极晶体管辐照敏感性更强,对于npn双极晶体管其电离总剂量辐照损伤的关键因素是辐照感生的氧化层正电荷,而影响横向pnp的关键因素为辐照感生的界面陷阱电荷的密度.提出了一种提高双极晶体管抗电离总剂量辐射性能的措施,为探索双极晶体管以及含有双极晶体管的电子线路的抗电离总剂量辐射加固技术提供了理论和实验依据.
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内容分析
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文献信息
篇名 不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 双极晶体管 发射极 周长面积比 电离辐射 总剂量 退火
年,卷(期) 2013,(3) 所属期刊栏目 可靠性
研究方向 页码范围 222-226
页数 分类号 TN322.8
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.03.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕长志 北京工业大学电子信息与控制工程学院 60 471 12.0 18.0
2 谢雪松 北京工业大学电子信息与控制工程学院 66 554 14.0 20.0
3 张小玲 北京工业大学电子信息与控制工程学院 69 447 11.0 18.0
4 吕曼 北京工业大学电子信息与控制工程学院 6 28 4.0 5.0
5 王鹏鹏 北京工业大学电子信息与控制工程学院 3 14 3.0 3.0
6 张彦秀 5 17 3.0 4.0
7 孙江超 北京工业大学电子信息与控制工程学院 5 17 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
双极晶体管
发射极
周长面积比
电离辐射
总剂量
退火
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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