采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管

• 作者: 刘国辉 田石
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 快速晶闸管 镓铝双质掺杂 杂质浓度分布 图形设计 电子辐照
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 30-34
• 分类号: TN34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.007

摘要

介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺.根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式.采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命.研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理.研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门板特性和动态特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国辉		4	5	1.0	2.0
2	田石		3	5	1.0	2.0