CdSe/TiO2复合薄膜的制备及光电性能研究

• 作者: 李雪方 梁伟 王红霞 薛晋波
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 电化学沉积 TiO2纳米管 沉积电压 CdSe纳米晶薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2013.01.005

摘要

以SeO2·CdCl2·5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜.研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能.结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态；随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落.综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁伟	太原理工大学材料科学与工程学院	191	1217	15.0	28.0
5	王红霞	太原理工大学材料科学与工程学院	85	478	12.0	17.0
6	薛晋波	太原理工大学材料科学与工程学院	16	107	6.0	9.0
15	李雪方	太原理工大学材料科学与工程学院	1	6	1.0	1.0