低应力铌酸锂电光调Q开关的研究

• 作者: 孙军 张玲 王富章 窦飞飞 胡永钊 许京军 陈彬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铌酸锂 调Q开关 应力
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 1315-1318,1322
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2465字
• 语种: 中文

摘要

本文分析了铌酸锂晶体应力,按照来源包括热应力、缺陷应力、加工应力和晶体受到的外力等.对铌酸锂晶体热处理时固溶体脱溶问题的初步分析,采用合适的工艺对晶体毛坯进行了去应力热处理；在调Q开关制作时开发了弹性装配技术取代传统的硬性夹持方案,消除了夹持应力对电光调Q开关的影响.制备的铌酸锂电光调Q开关得到了实际应用,有效提高了激光器工作的温度稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许京军	南开大学物理学院	80	471	12.0	17.0
2	张玲	南开大学物理学院	42	579	14.0	23.0
3	孙军	南开大学物理学院	12	37	4.0	5.0
4	陈彬		23	98	6.0	9.0
5	窦飞飞	中国电子科技集团公司第二十七研究所	4	18	3.0	4.0
6	胡永钊	中国电子科技集团公司第二十七研究所	3	15	2.0	3.0
7	王富章	中国电子科技集团公司第二十七研究所	1	10	1.0	1.0