碳化硅含量对炭/陶复合导电材料组织和性能的影响

• 作者: 郑昕
• 来源期刊: 现代技术陶瓷
• 关键词: 复合导电材料 SiC 电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 科研与探讨
• 页码范围: 3-6
• 页数: 4页
• 字数: 2274字
• 语种: 中文

摘要

以长石、透辉石、石英等为陶瓷基料掺杂石墨、碳化硅,经湿混、干燥、干压成型、快速烧结等工艺制备了复合导电材料.测定了试样的气孔率、吸水率、烧成收缩率、烧失率以及抗弯强度,并分别用XRD和SEM分析晶相组成和断面显微结构,研究了碳化硅含量对复合材料电阻率的影响.实验结果表明:碳化硅的含量由1％增大到3％时,炭/陶复合导电材料的显微结构无显著变化,气孔率增大,烧成线收缩率降低,弯曲强度下降,电阻率变大；碳化硅含量由3％增大到9％时,炭/陶复合导电材料的陶瓷颗粒界面上形成一层白色碳化硅颗粒层,气孔率减小,弯曲强度增大,电阻率急剧降低；与碳化硅含量为1％的炭/陶复合导电材料相比,碳化硅含量增大到9％时,炭/陶复合导电材料孔隙率减小,弯曲强度增大,电阻率降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑昕		1	0	0.0	0.0