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摘要:
采用双槽电化学腐蚀法制备了纳米多孔硅,主要研究了腐蚀时间和腐蚀电流对重掺杂p型(100)硅衬底上制备的多孔硅层有效光学厚度的影响,采用U-4100光谱仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)技术对所制备的多孔硅光子晶体的结构和有效光学厚度进行了分析表征.研究结果表明,通过合理地选择腐蚀时间和腐蚀电流,可以比较精确地制备特定有效光学厚度的多孔硅薄膜,此方法可广泛应用于纳米多孔硅光子晶体的制备中.
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文献信息
篇名 一维纳米硅光子晶体的制备与优化
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 纳米硅 双槽电化学腐蚀 腐蚀条件 有效光学厚度
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 994-997
页数 分类号 TN204
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾振红 新疆大学信息科学与工程学院 286 1621 18.0 28.0
2 钟福如 石河子大学信息科学与技术学院 36 80 5.0 7.0
3 周涛 石河子大学信息科学与技术学院 24 45 4.0 5.0
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研究主题发展历程
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纳米硅
双槽电化学腐蚀
腐蚀条件
有效光学厚度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
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