深沟槽工艺产品晶片周边硅针缺陷的解决方法

• 作者: 丘志春
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 深沟槽工艺 晶片周边硅针缺陷 倒梯形工艺 负光阻工艺
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 625字
• 语种: 中文

摘要

在功率金属氧化物半导体器件生产中，有些为了达到特殊的器件性能，采用深沟槽工艺，其沟槽深度可达几十微米，该类产品在关键的深沟槽刻蚀中，晶片边缘经常会有硅针缺陷产生，该缺陷在后续湿法清洗过程中，会成为颗粒的主要来源，影响晶片良率和污染湿法清洗机台。文章阐述了两种通过优化沟槽光刻工艺来解决此种缺陷的方法，一种为沟槽层光刻采用倒梯形工艺，另一种为沟槽层光刻采用负光阻工艺，两种方法旨在将晶片周边保护起来，在深沟槽刻蚀中下层材质不被损伤，解决深沟槽工艺产品周边硅针缺陷问题。

作者信息

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1	丘志春		1	0	0.0	0.0