化学浴法制备CdS薄膜及其光电性能研究

• 作者: 江丰 沈鸿烈 焦静 王威
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学浴沉积法 CdS薄膜 光吸收 光电响应 电导率
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 1299-1304
• 页数: 6页
• 分类号: O734
• 字数: 3195字
• 语种: 中文

摘要

本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成CdS薄膜,制备出均匀、致密的CdS薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了CdS薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能.发现在不同水浴温度下都成功制备了CdS薄膜,其中75℃制备的CdS薄膜最为均匀致密且其XRD衍射峰强度最强,光吸收边在500 nm附近,禁带宽度大约为2.52 eV.这些CdS薄膜的光电响应大,暗态及光照下的电导率分别为1×10-4S·cm-1和1.04×10-2 S · cm-1.用它们制备的CdS/CZTS异质结太阳电池具有明显的光伏效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
2	江丰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	17	57	5.0	6.0
3	王威	南京航空航天大学材料科学与技术学院	23	52	4.0	5.0
4	焦静	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	13	2.0	3.0