SiGe HBT高增益宽带低噪声放大器设计

• 作者: 徐永祥 李国军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅异质结双极晶体管(HBT) 高增益 宽带 低噪声放大器(LNA) 噪声系数(NF)
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 259-262,296
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.04.004

摘要

基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA).该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声系数和高增益等特性,适合于射频或中频信号处理系统.芯片采用板上芯片(COB)方式测试,结果表明:在10 ～ 800 MHz工作频带内,单片集成低噪声放大器的噪声系数为1.62 ～1.90 dB,增益35 dB,输入输出端口反射系数分别小于-16 dB和-13 dB,1 dB压缩点输出功率为13 dBm,工作电流35 mA.单片集成低噪声放大器的芯片面积仅为0.48 mm×0.38 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国军	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	3	1.0	1.0
2	徐永祥	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	3	1.0	1.0