氮化镓晶体的氨热法生长进展

• 作者: 何小玲 周海涛 左艳彬 张昌龙 王金亮 覃世杰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 氨热法 进展
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 1293-1298
• 页数: 6页
• 分类号: O782+.9
• 字数: 5204字
• 语种: 中文

摘要

GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶.在为数不多的GaN体单晶的几种生长方法中,氨热法被普遍认为是生长GaN体单晶的一种很有前途的方法.本文主要论述了在不同矿化剂生长条件下GaN晶体的氨热法生长进展,指出了存在的问题,并给出了一些解决办法.