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摘要:
为了提高CMOS图像传感器大尺寸像素的电荷转移效率,消除图像拖尾,通过对像素内电荷转移的RC模型分析,提出一种优化电荷转移的方法。从工艺和版图两方面进行优化,工艺方面是在N埋层的形成步骤中增加一步P型杂质注入,使光电二极管内存在电场,增强电荷转移;版图方面是优化光电二极管的版图为U型,使传输栅伸进光电二极管内尽量长,减少RC模型的传输级数,提高电荷转移效率。与传统像素相比,工艺和版图的优化使电荷转移效率分别提高了2倍和3.3倍,转移时间也分别缩短到传统像素结构的26%和30%左右。对传统像素结构进行工艺和版图同时优化则使电荷转移效率提高了9.5倍。
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文献信息
篇名 大尺寸像素电荷转移的优化方法
来源期刊 传感技术学报 学科 工学
关键词 CMOS图像传感器 大尺寸像素 电势梯度 电荷转移效率
年,卷(期) 2013,(11) 所属期刊栏目 传感器信号处理
研究方向 页码范围 1525-1531
页数 7页 分类号 TN366
字数 2499字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-1699.2013.11.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姚素英 天津大学电子信息工程学院 160 911 14.0 21.0
2 徐江涛 天津大学电子信息工程学院 78 323 11.0 14.0
3 徐超 天津大学电子信息工程学院 24 134 6.0 11.0
4 高志远 天津大学电子信息工程学院 7 9 2.0 3.0
5 张冬苓 天津大学电子信息工程学院 3 9 2.0 3.0
6 韩立镪 天津大学电子信息工程学院 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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CMOS图像传感器
大尺寸像素
电势梯度
电荷转移效率
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
传感技术学报
月刊
1004-1699
32-1322/TN
大16开
南京市四牌楼2号东南大学
1988
chi
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