SiC MOSFET驱动电路及实验分析

• 作者: 张旭 徐德鸿 陈敏
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 驱动电路 开关时间 开关损耗
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 71-76
• 页数: 6页
• 分类号: TM13
• 字数: 2532字
• 语种: 中文

摘要

根据SiC MOSFET开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,在此基础上采用双脉冲测试方法,对SiC MOSFET的开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关时间、开关损耗等的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐德鸿		170	3009	31.0	50.0
2	陈敏		172	2158	24.0	40.0
3	张旭		43	263	8.0	15.0