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摘要:
高电子迁移率晶体管(HEMT)以其噪声低和频带宽等特点在微波毫米波领域得到了广泛的应用,本文在传统优化方法的基础上,对差分进化算法进行了改进,并基于该算法对HEMT小信号等效电路模型进行了模型参数提取.实验结果表明,2×20 μm GaAs HEMT器件S参数模拟结果和测试结果在40 GHz频率范围内吻合很好,误差在2%以内.
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文献信息
篇名 用改进的差分进化算法提取HEMT小信号模型的参数
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 小信号等效电路 参数提取 差分进化算法
年,卷(期) 2013,(3) 所属期刊栏目 电子电路设计分析及应用
研究方向 页码范围 363-366
页数 4页 分类号 TN911.7
字数 2151字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.03.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高建军 华东师范大学信息学院 24 42 3.0 5.0
2 周爱民 华东师范大学信息学院 6 46 2.0 6.0
3 陈雪成 华东师范大学信息学院 1 1 1.0 1.0
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2016(2)
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研究主题发展历程
节点文献
小信号等效电路
参数提取
差分进化算法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导