不同BCP插层厚度及工作温度对高场有机磁电导正负转变的影响

• 作者: 刘亚莉 张巧明 游胤涛 焦威 熊祖洪 贾伟尧 陈林
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 有机磁电导 高场正负转变 空穴阻挡层 三重态激子-电荷 相互作用
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 803-809
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/972012-962

摘要

采用插入较厚(40,80和120 nm)的BCP空穴阻挡层,制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP(x nm)/A1的有机发光二极管,并在不同温度下测量了器件电流随外加磁场的变化(即magneto-conductance,MC).发现不同厚度BCP插层器件在低场(0≤B≤50 mT)下均表现为正磁电导效应,且这一特性与器件工作温度无关,但高场部分(B＞50 mT)的MC却表现出对温度及厚度有较强的依赖关系,即随着温度的降低,120 nm BCP插层器件表现出明显的正负磁电导转变;而80和40 nm的BCP器件则不存在这种转变现象,在低温下只存在负磁电导成分.其原因可能是:MC低场正磁电导部分由超精细相互作用引起;而高场MC的正负转变则主要是由于较厚BCP插层引起大量没有复合的剩余空穴,与低温下长寿命的三重态激子相互作用(即TQA作用)引起的.