砷化镓光导开关中流注890 nm辐射的光致电离效应

• 作者: 刘鸿 戴松晖 杨洪军 王晓茜 郑理
• 来源期刊: 成都大学学报（自然科学版）
• 关键词: 光电子学 砷化镓光导开关 流注 光致电离效应
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 247-249
• 页数: 3页
• 分类号: TN36
• 语种: 中文

摘要

分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端波长890nm自发辐射的光致电离效应,导出了砷化镓光导开关中流注顶部波长890nm自发辐射在吸收区域产生的载流子密度分布规律.计算结果表明,紧邻流注顶部处的光生载流子密度最大,波长890nm自发辐射产生的最大载流子密度比流注内平均载流子密度至少小3个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鸿	成都大学电子信息工程学院	22	41	3.0	5.0
2	王晓茜	成都大学电子信息工程学院	9	31	2.0	5.0
3	杨洪军	成都大学电子信息工程学院	12	53	4.0	6.0
4	郑理	成都工业学院机电工程系	9	11	2.0	3.0
5	戴松晖	成都大学电子信息工程学院	9	13	2.0	3.0