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摘要:
P型掺B单晶硅制作的太阳电池光照10h后产生3% ~6%的效率衰减.该文制备常规掺B和不同掺Ga剂量的P<100>单晶硅并切片制备高效晶硅太阳电池,对硅片物理参数和电池光伏特性参数进行测试对比分析.用标准模拟光源对样品电池分别进行光衰实验对比,结果证实:掺Ga单晶硅太阳电池不仅能保持与掺B单晶电池相同的光电转换效率,而且能强烈地抑制光衰.
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文献信息
篇名 掺Ga高效单晶硅太阳电池抑制光衰研究
来源期刊 太阳能学报 学科 工学
关键词 掺Ga 单晶硅 太阳电池 光衰
年,卷(期) 2013,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 449-452
页数 4页 分类号 TB321
字数 2710字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 任丽 河北工业大学化工学院 75 1321 20.0 35.0
2 李宁 河北工业大学信息功能材料研究所 35 207 9.0 12.0
3 任丙彦 河北工业大学信息功能材料研究所 31 241 9.0 14.0
4 杨淑云 河北工业大学信息功能材料研究所 2 14 2.0 2.0
5 丰云恺 河北工业大学化工学院 2 14 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
掺Ga
单晶硅
太阳电池
光衰
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太阳能学报
月刊
0254-0096
11-2082/TK
大16开
北京市海淀区花园路3号
2-165
1980
chi
出版文献量(篇)
7068
总下载数(次)
14
总被引数(次)
77807
相关基金
河北省自然科学基金
英文译名:
官方网址:
项目类型:
学科类型:
论文1v1指导